【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24OS1022

利用課題名 / Title

ニューロモルフィック分子ネットワークデバイス用ナノ電極の製作

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

西村 優汰

所属名 / Affiliation

大阪大学理学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

佐々木　蒼人,若松慈久,近藤　悠真,松本卓也,樋口歩高,廣田　大雅

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-104：自動搬送電子ビーム描画装置
OS-105：高速大面積電子ビームリソグラフィー装置
OS-110：リアクティブイオンエッチング装置
OS-113：多元DC/RFスパッタ装置
OS-117：EB蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

分子エレクトロニクス研究において、分子固有の物性現象を発現させるためには、微細な構造を有する電極を用いることが必要である。今回、大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点微細加工プラットフォームの設備を利用してナノギャップ電極の作製を行った。

実験 / Experimental

電極間ギャップが40 nm程度のナノギャップ電極を作製した。電極中心部を自動搬送電子ビーム描画装置で描画し、現像後にEB蒸着装置による金電極の成膜とリフトオフを行った。その後、パッド部を高速大面積電子ビームリソグラフィー装置を用いて重ね合わせ描画した。パッド部は現像後に多元DC/RFスパッタ装置による金電極の成膜とリフトオフを行った。その後、必要に応じて反応性イオンエッチングによって電極表面の絶縁層作成を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

電子ビームリソグラフィー装置を用いることでナノメートルサイズの構造を持つ電極を作製した。
その後、電極上に導電性高分子の薄膜を形成することで電極間に高電界がかかり、分子の性質や構造を反映した非線形応答を得ることに成功した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件