【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.04】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS1009
利用課題名 / Title
グラフェンデバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
ナノカーボン/ Nano carbon,電子線リソグラフィ/ EB lithography,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小川 新平
所属名 / Affiliation
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
花岡美咲,福島昌一郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
グラフェンデバイスの微細化を目的として、フォトリソグラフィでは対応できないサイズの加工を実現するため、電子 描画装置による描画を実施した。
実験 / Experimental
Si基板を用いて電子ビーム描画装置による描画を試みた。主に所望のデバイスサイズを得るために電子ビームの条件出 施した。
結果と考察 / Results and Discussion
初回条件出しのため、Si基板に数10~100nmスケールの微細な穴構造を得るための電子ビームの条件出しを実施した。 電子ビームの露光条件、レジスト厚などの条件を振ることで所望の微細形状に近づくことができた。今後は、得られたレジストマス クを用いたエッチング条件を得るための実験を実施する予定。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件