【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS1002
利用課題名 / Title
レジスト構成分子の特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古澤 孝弘
所属名 / Affiliation
大阪大学産業科学研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小熊 威
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代材料の設計指針を得るため、レジスト構成分子の特性を実験により明らかにする。
実験 / Experimental
合成したレジスト高分子に酸発生剤と光分解性塩基を加え、レジストを調合後、スピンコート法でシリコン基板上に薄膜を形成し、125 keV電子線リソグラフィ―装置で描画実験を行った。露光後のサンプルを界面活性剤入りの2.38wt%TMAH現像液で現像し、効果を調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
得られたレジストパターンをSEMで観察し、界面活性剤の効果を確認した。疎水性の高い界面活性剤を2.38wt%TMAH現像液に加えることにより、合成したレジストの解像度が改善した。疎水性の高い界面活性剤の添加が現像時のレジスト薄膜の膨潤を抑制した結果であると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件