【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.23】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NU0071

利用課題名 / Title

JEM-2100Fにおける大口径EDS検出器の調査

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学 / Nagoya Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

セラミックスデバイス/ Ceramic device,光デバイス/ Optical Device,電子顕微鏡/ Electronic microscope

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

武田 高志

所属名 / Affiliation

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

田中　伸史

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

荒井　重勇

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-103：高分解能透過電子顕微鏡システム

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

名古屋大学の所有しているJEM-2100F-HKは、口径が60mm²のSDDを搭載しており、シリコンウェハに作製された半導体デバイスのEDS測定に対する有効性の調査を目的とする。

実験 / Experimental

実験にはJEM-2100F-HKを用いて、加速電圧200kVでEDS測定を行った。シリコンウェハに作製された半導体デバイスにおいて、SiやOなどのピーク強度を評価した。

結果と考察 / Results and Discussion

デバイス内のSiO₂膜において、測定時間30秒でスポット測定を行った。（図1）スポットサイズ1.5nm, 0.7nm, 0.5nm（プローブ電流はそれぞれ45pA/cm², 10pA/cm², 5.8pA/cm²）でのSi-Kαのカウント数はそれぞれ8200, 1700, 700程度であった。また、O-Kαのカウント数はそれぞれ6400, 1200, 500程度であった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　SiO₂膜のEDSスペクトル

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件