【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0218
利用課題名 / Title
有機フォトディテクタの高性能化に向けた電極パターンの最適化
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
低温プローバ(CRX-4K) 6K～350K,センサ/ Sensor,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
横田 知之
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
多川友作
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、フレキシブルイメージャーの開発に向けて、有機フォトダイオードの特性改善と安定性の改善を主な目的として研究を行っている。
具体的には、有機フォトダイオードの輸送層と有機半導体層の界面が特性や安定性に与える影響を評価するために、計測環境を変化させた際の特性を計測し、解析することでプロセスの最適を行うことを目指す。
実験 / Experimental
本研究では、電子輸送層を成膜したのちに、窒素雰囲気化でアニール処理を追加で行うことで、デバイスの特性がどのように変化するかの評価を行った。
具体的には、アニール温度を50～120℃で変化させ、その後有機半導体層を成膜し、有機フォトダイオードを作製した。
作製後、デバイスの電気特性と容量計測を行うことで、デバイスの基礎特性や安定性の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
本研究では、アニール温度を100℃以上で行った際に、有機フォトダイオードの暗電流を低減させることができることが確認できた。さらに、容量成分を低温プローバ(CRX-4K) 6K～350Kを用いて計測し解析を行ったところ、デバイス内のトラップ密度が低減することが確認できた。以上の結果より、電子輸送層を成膜後に、追加で窒素雰囲気化でアニール処理を行うことで、デバイス特性が改善できることが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件