【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0067
利用課題名 / Title
無機材料の構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
原子薄膜/ Atomic thin film,X線回折/ X-ray diffraction,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐々木 宏和
所属名 / Affiliation
古河電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
豊嶋 健瑠
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaN（窒化ガリウム）は、半導体材料として広く使用されており、特に高効率なLEDや高周波デバイスに利用されている。XRDは、GaNの材料特性を評価するための重要な手法の一つである。GaNは、主に六方晶（wurtzite）構造と立方晶（zinc blende）構造の2つの結晶構造を持つ。XRDによって得られる回折パターンを分析することで、結晶の対称性や格子定数を特定することが可能である。
実験 / Experimental
観察試料： GaN
XRD装置： SmartLab （9kW）
測定条件2θ:5～80°
測定時間:1時間
結果と考察 / Results and Discussion
図１にGaN薄膜のXRD結果を示す。このプロファイルにおいて、最も強いピークはGaNの(0002)であり、ほぼc軸配向していることが確認できた。今後は、これらのピークの半値幅、ピーク位置等を詳細に解析して、GaN薄膜の構造解析を行い、薄膜結晶の品質改善に寄与する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 XRD pattern of GaN
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件