【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2560
利用課題名 / Title
窒化物半導体の表面加工
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
触針式段差計,フォトニクス/ Photonics,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
木村 真大
所属名 / Affiliation
ナイトライド・セミコンダクター株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大浦裕佳
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-202：多元スパッタ装置（仕様Ｂ）
KT-333：触針式段差計（加工評価室）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
目的：窒化物半導体の表面上へPhCを形成するためのエッチングの際、より深く加工するために、PR下にハードマスクとしてSiO2を成膜することによって選択比の向上を目指す。
実施内容：窒化物半導体の表面上へSiO2を成膜、膜厚測定
実験 / Experimental
窒化物半導体の表面上へ多元スパッタ装置（KT-202）にてSiO2を成膜し、目標通りの厚さが成膜できているか触針式段差計（KT-333）にて確認。
結果と考察 / Results and Discussion
目標：SiO2成膜の厚さ50nm及び200nm
条件：レシピNo.１（T/S：125mm、E/R：4nm/min、SiO2）
上記条件にて実施した結果は以下の通りである。
SiO2成膜の厚さ50nm狙い：センター：48.27nm、エッジ50.47nm
SiO2成膜の厚さ200nm狙い：センター：200.29nm、エッジ：206.125nm
以上の結果から、ほぼ目標通りの厚さに成膜できたことを確認。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件