【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.04】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0189
利用課題名 / Title
光電子融合デバイス技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/ Lithography,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
秋田 一路
所属名 / Affiliation
コーデンシ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
飯竹 昌則,佐藤 平道,川又 彰夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
目的.光電子融合デバイス開発での要所技術の一つであるN-GaAsへのオーミック電極開発。
用途.電流経路の形成
実施内容.電極パターン形成後、NPF・マニュアルプローバでVI特性を測定した。
実験 / Experimental
実験
① N-GaAs（1e18）基板上にフォトリソでパターンを形成後、GaAs/Ni/AuGe/Ni/Auを蒸着・リフトオフにて特性評価用のTLMパターンを形成した。
② ①で作製したサンプルを、300℃、350℃、400℃でそれぞれ熱処理を行った。
③ ②をNPF・マニュアルプローバでVI測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
結果
アニール温度350℃以上でオーミック特性を得た。表面状態は、アニール温度を上げるとともに、粗れが生じていた。今後のデバイス作製では、オーミック特性が得られ尚且つ表面粗れが小さい温度領域でのアニール条件を最適化する必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1．VI特性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件