【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2297

利用課題名 / Title

SiO₂ 垂直エッチング加工による光導波路の導波効率改善

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

フォトニクス/ Photonics,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

冨井 秀晃

所属名 / Affiliation

コーデンシ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

岸本洋介

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

今井憲次,佐藤政司

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 SiO₂系材料を用いた可視光導波路チップの導波効率改善のために、SiO₂エッチング端面の垂直化を主とした一連のプロセス構築を目指している。厚膜 SiO₂をエッチングするためには Crマスクを用いる必要があり、昨期では (1) レジストマスクを用いた Crエッチング、 (2) レジストアッシング、 (3) Crマスクを用いたSiO₂エッチング の各工程を磁気中性線放電ドライエッチング装置（KT-209）にて実施した。結果、SiO₂エッチング端面にデポ物の付着が確認され、これらが導波効率に悪影響を及ぼすことが懸念されるため、今期は追加処理にてデポ物除去を試みる実験を行った。

実験 / Experimental

SiO₂エッチング端面のデポ物除去実験
ウェハー共通条件:磁気中性線放電ドライエッチング装置（KT-209）を用いてCrマスクによるSiO₂ エッチングを実施
ウェハー種類：SiO₂エッチング後 Cr除去 … 有り / 無し  (2 条件)
処理条件：レジストアッシングレシピ×2 回 / レジストアッシングレシピ＋Crエッチングレシピ (2 条件)
(ウェハー2 条件×処理 2 条件の組み合わせ：計 4 条件)

結果と考察 / Results and Discussion

上記 4 条件ともデポ物の完全除去には至らなかったものの、残渣の外観状態に差が見られた。(表 1 および写真 1～4 参照)アッシングに加えてCrエッチングレシピを入れることでデポ物が脆くなって細切れになったことが考えられる。デポ物にはCF系ガス由来成分とCr由来成分が含まれていることが想定され、アッシングレシピとCrエッチングレシピの繰り返し処理によってデポ物を除去できる可能性が考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表 1　デポ物除去実験結果

写真 1　処理後外観

写真 2　処理後外観

写真 3　処理後外観

写真 4　処理後外観

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件