利用報告書 / User's Reports | ARIM Japan公式ホームページ

【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2277

利用課題名 / Title

EB描画装置の実力把握のための借用

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ナノホール,電子線リソグラフィ/ EB lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

次六寛明

所属名 / Affiliation

セイコーエプソン株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

赤坂康一郎,石沢俊介

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

海津利行,井上良幸

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-115：大面積超高速電子ビーム描画装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

直径80~200nm程度、ピッチ150~250nm程度の三角格子配列ナノホールアレイをパターニングできる技術を調査しています。本依頼にて、京都大学ナノハブ拠点の大面積超高速電子線描画装置（KT-115）の実力把握と実験サンプル作製を目的に装置利用したい。

実験 / Experimental

電子線描画装置を用いて、レジスト膜にナノホールアレイを形成し、蒸着膜をエッチングする。
技術代行依頼実績：2024年5月（3枚）、2024年9月（3枚）
基板：φ2インチ、t=430μm、サファイア基板
1.蒸着膜形成
2.レジスト塗布：ZEP520A、t=180nm
3.エスペイサー塗布（技術代行）：300Z
　・エスペイサーコート：　1500rpm、60sec（メインステップ）
　・ベーク：　100℃、60sec
4.電子線描画（技術代行）：大面積超高速電子線描画装置、F7000S-KYT01（アドバンテスト）（KT-115）
　・アジャスタ：型式KHE-610116（セイコーエプソン資産）　
　・GDSファイル：Quarterl（配置図を図１～２に、ユニット概要を図３に示す）
5.エスペイサー除去
6.現像
7.ドライエッチング
8.レジスト除去