利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM5104

利用課題名 / Title

多段階無機合成と構造・物性評価

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

ALD,ダイシング/ Dicing,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

佐藤 宗英

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-228:微小部蛍光X線分析装置(ORBIS PC)
NM-656:ダイシングソー [DAD3220]


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

多段階無機合成したサンプルの構造・物性を評価するためには、サンプルを堆積するための基板を準備し、堆積されたサンプルの膜厚を事前に評価する必要がある。 本課題では、直接的に膜厚測定できないサンプルの膜厚を推定するため、昨年度に膜厚測定を行っていたシリコンウェハ上のサンプルの蛍光X線強度と当該サンプルの蛍光X線強度の相関から膜厚を推定した。

実験 / Experimental

本実験では、シリコンウェハをダイシングソー(NM-656)にてカットした。サンプルの膜厚については、微小部蛍光X線分析装置(NM-228)で推定した。

結果と考察 / Results and Discussion

ダイシングソー(NM-656)では、マニュアル通りに設定したサイズにシリコンウェ ハをカットできた。また、微小部蛍光X線分析装置(NM-228)での評価 では1nm程度の薄膜でもあっても積算時間を2時間に設定することでピークを確認でき、1〜10nmの範囲で膜厚と蛍光X線強度との直線関係を確認できたため、当該サンプルの膜厚も合成時に設計した通りの膜厚であることが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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