【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5093
利用課題名 / Title
GaN絶縁膜の研究
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaN, Al2O3, 原子層堆積法,原子薄膜/ Atomic thin film,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
生田目 俊秀
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
三浦博美
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大井暁彦,池田直樹,浦野絵里, 尾崎康子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-646：赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
NM-665：電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaNエピ基板からなるMetal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを検討した。
実験 / Experimental
先ず、n-GaNエピ基板はSPM/HF溶液で表面洗浄した。続いて、300℃の原子層堆積法で、Al2O3絶縁膜を作製した後に、電子銃型蒸着装置及びスパッタ法を用いて、ゲート電極を及びオーミックコンタクトを作製して、MOSキャパシタを作製した。最後に、300℃で熱処理した。
結果と考察 / Results and Discussion
GaNエピ基板は小さなサイズのために、複数の工程があるMOSキャパシタの作製では、GaN基板のへりのみを触る工夫をすることで、安定したMOSキャパシタを作製できた。これらのMOSキャパシタを用いて、C-V特性及びI-V特性を調べる事で、GaN/Al2O3絶縁膜の界面が電気特性へ及ぼす影響を把握した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Yoshihiro Irokawa, Communication—A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO2 Process, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 13, 085003(2024).
DOI: 10.1149/2162-8777/ad6fd2
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件