【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM0155

利用課題名 / Title

高出力給電PDのプロセス開発

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,ALD,CVD,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,フォトニクス/ Photonics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

小田 侑暉

所属名 / Affiliation

デクセリアルズ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

保坂 泰靖,木谷 達郎,後藤 弘充,渋谷 弘毅,林 慶輔

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

津谷 大樹,渡辺 英一郎,吉田 美沙

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-603：レーザー描画装置 [DWL66+]
NM-624：顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]
NM-662：低ダメージ精密エッチング装置 [Spica]
NM-612：SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
NM-628：薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

化合物半導体を用いて、高出力給電用フォトダイオードのプロセス開発を行った。
社内設備では半導体プロセス用設備が不十分のため、NIMSの共用設備を用いてレーザー描画装置、RIEでの深堀などに用いた。

実験 / Experimental

今回はRIEを用いて化合物半導体をエッチングする際にどのような断面構造を得られるかの実験を行った。目標としては7μmの深堀である。
実験用基板にはSiO2 CVD装置NL-200にてSiO2を1600nm成膜し、その後PFI38A7レジストを塗布した。露光にはDWL66を用いて事前に用意したCADファイルのパターンを描画した。
現像後にSpica#1を用いてハードマスク形成を行った。その後Spica#2を用いて化合物エッチングを行った。
実験に使用したガスはAr/Cl2=6sccm/6sccmの混合ガス。Biasを250W固定で、ICPパワーを150W、圧力を0.5Paでエッチングを行った。

結果と考察 / Results and Discussion

断面結果を示す。7μmほどの深堀を行おうとするとL/S=3μmではテーパーの影響でエッチング底面が出ていなく、最低でもL/S=6μmが必要である。
このテーパーは化合物エッチングの時だけではなく、露光・現像、ハードマスク形成の時から形成していていると考えられる。さらに良い構造を作るためにはレジストから見直しが必要であると考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1.L/S=3μm

図2.L/S＝6μm

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件