【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.05】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM0084
利用課題名 / Title
遷移金属ダイカルコゲナイドデバイス保護膜の開発
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
遷移金属ダイカルコゲナイド, 保護膜,X線回折/ X-ray diffraction,原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高岡 毅
所属名 / Affiliation
東北大学 多元物質科学研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
廣戸 孝信
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
原子層レベルの微細加工が容易に行える二硫化モリブデンや二硫化タングステンをはじめとする遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電界効果トランジスタを液体中に含まれる分子のセンサーとして利用するための技術を改良することが研究目的である。液体中に含まれる分子を検出する際に、液体によるデバイスの破壊を防ぐために、二酸化チタンを保護膜として利用することを検討しており、二酸化チタン膜厚などの最適条件を見出すことに着目している。
実験 / Experimental
遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電界効果トランジスタの保護膜としての二酸化チタン薄膜を作成し、その結晶構造をX線回折装置を用いて解析した。
結果と考察 / Results and Discussion
原子層堆積装置(ALD)を用いて作成した二酸化チタン薄膜の結晶構造をX線回折装置を用いて解析し、膜厚が5nmから20nm程度のAs grown薄膜の場合はアモルファスであることが明らかになった。
また、X線反射率測定の結果から、膜厚が目標としていた値となっていることを確認できた。電界効果トランジスタの保護膜として二酸化チタン薄膜を利用する際の非常に重要な知見を得ることができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
二酸化チタン薄膜のX線反射率測定結果とシミュレーションの比較
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 高岡 毅、”MoS2-FETフォトカレントの銅ナフタロシアニン分子吸着量依存性”、2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会（新潟）、 2024年9月17日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件