【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2250
利用課題名 / Title
コンポジット材料界面の分析技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
金属,界面,分析,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
久保 優吾
所属名 / Affiliation
住友電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大和田毬加
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
金属と樹脂など異種材料の接合は、自動車、電子機器など、広範囲の産業分野で活用されている。製品の要求特性を満足するため、これら異種材料の界面の化学状態に関する理解は不可欠である。本研究の最終的な目的は、抵抗加熱式の真空蒸着法など比較的簡便な成膜手法を用いて界面分析用試料を作製し、材料間の界面状態を明らかにすることである。今回、抵抗加熱式真空蒸着法によりSi基板上にCu薄膜（約500 nm）を形成し、断面SEM観察を実施した結果をまとめる。
実験 / Experimental
抵抗加熱式真空蒸着法（KT-232）により酸化膜付きSi基板上にCu薄膜（約500nm）を形成した。蒸着直前の典型的な真空度は約1.0~3.0×10-３ Pa、典型的なレートは0.05 nm/s～0.1nm/sであった。
結果と考察 / Results and Discussion
Si基板上にCu薄膜(約500 nm)を形成後にフッ素樹脂をコーティングした。その後、Si基板とCu薄膜間で剥離した。Fig. 1に、試料全体の断面SEM観察結果、Fig.2にCu薄膜の断面観察結果と測長結果を示す。Fig. 1の上側からCu薄膜、フッ素樹脂となっている。Cu薄膜は均一に厚さ約500 nmの層となっていること、Cuとフッ素樹脂の間にボイドなども観察されず、密着していることも確認できた。今後はCuとフッ素樹脂の界面分析を実施予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Cross-sectional SEM of the entire sample
Fig. 2 Cross-sectional SEM of Cu.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件