【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2242

利用課題名 / Title

EB描画装置を活用したデバイス実証実験

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

サブミクロン ホールパターン,電子線リソグラフィ/ EB lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

熊井 啓友

所属名 / Affiliation

セイコーエプソン株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

二村 徹

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

井上良幸

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-115：大面積超高速電子ビーム描画装置
KT-120：回路&レイアウト設計ツール

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

当社セイコーエプソンにて、デバイスの実証実験を進めている。このデバイスの試作プロセスを検討する中で、サブミクロンの周期パターンを任意に形成する描画手段が必要であることが判明した。自社では高精度のナノパターニング手段がないため、2021年より京都大学ナノハブ拠点のEB描画装置を利用し一連の試作検証を進めている。

実験 / Experimental

大面積超高速電子ビーム描画装置（KT-115）を活用したサブミクロン ホールパターン形成(周期～300nm on GaAs基板)

結果と考察 / Results and Discussion

2021年度に周期～280nmのホールパターン条件出しを完了し、同構造をリピート作製している。図2に示すように設計周期と実測周期との間には強い相関があり、当社デバイス作製に必要なパターン精度が得られている。本周期パターンを用いたドライエッチング評価においても、下地GaAs膜と十分な選択比が得られ、目標寸法通りのGaAaホールパターン構造を安定的に実現できている。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　ホールパターン形成のSEM写真：周期280nm(目標値)

図2　ホールパターンの実測周期に対する設計周期

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件