【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2239

利用課題名 / Title

ビア側壁のSiO₂膜の成膜状態検証

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiO2,TEOS膜,CVD,3D積層技術/ 3D lamination technology

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

野口 登

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

植松丈裕,小坂哲朗

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-205：プラズマCVD装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シリコンに貫通ビアを形成し、その後、再配線電極を形成するため、シリコンと再配線電極の絶縁性を確保する目的でSiO₂膜の形成とパターニングが必要です。その際、ビア側壁の荒れに対するSiO₂膜の成膜状態を検証するため、京都大ナノハブ拠点にて成膜を行ったので、その結果を報告する。

実験 / Experimental

以下の工程により加工検討を実施。
①シリコンの貫通ビア形成（フォトリソ→エッチング→剥離）
②SiO₂膜成膜（プラズマCVD装置：KT-205）
③断面観察

結果と考察 / Results and Discussion

貫通ビア構造の断面構造図を図１に示す。シリコンのエッチングにてビア形状をコントロールする際に、側壁荒れレベルに違いが生じることを確認。　※図2,3
荒れ低減検討と並行して、現状のSiO₂膜の密着性とカバレッジ性を検証するため断面観察を実施。　※図5,6
SiO₂膜は下地の凹凸形状に起因し、より顕著になることは確認できたが、膜剥がれや段切れは確認できず。この結果を受け、一旦、SiO₂膜の成膜については致命傷にならないことを確認。今後、ビア形状をコントロールする際には、シリコンの側壁荒れ低減対策を進めながら、SiO₂膜の成膜状態についても注視していく予定。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　貫通ビア構造

図２　ビア断面(ref)

図３　ビア断面(改善)

図４　図３側壁拡大

図5　図3にSiO₂成膜（600nm）　

図6　図5側壁拡大

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件