【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2221
利用課題名 / Title
PZT薄膜の特性把握
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
PZT薄膜,電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高橋 徹
所属名 / Affiliation
京セラ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大友喬史,及川貴弘,李健,全ソミ
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
PZT薄膜をアクチュエータとするデバイスを開発中。アクチュエータの形状評価をSEMにて行う。
実験 / Experimental
エッチング加工したサンプルをSEM（KT-301）にて形状観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にウェハ断面（斜め）のSEM像を示す。PZT上にデポ物が存在することを確認した。様々なエッチング条件を試みており、個片ではデポ物を解消できたが、ウエハではデポを解消するに至っていない。個片ではイオンの集中によりエッチングレートの上昇がみられるが、ウエハ処理ではイオンが分散されるためかエッチングレートの低下、デポの発生が見られる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 ウエハ断面(斜め)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件