【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.02】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2174
利用課題名 / Title
パワー向けGaN HEMTに関する特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaN HEMT, パワーデバイス
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中野 拓真
所属名 / Affiliation
Anjet Research Lab 株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
今井憲次
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-319：パワーデバイスアナライザ
KT-317：プローバ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Simulationの精度向上のために、各種設計パラメータを変更したモニタ設計した。この結果を用いて、Simulationの精度向上を実施した。
実験 / Experimental
複数の評価モニタに対して、パワーデバイスアナライザー（KT-319）、プローバ（KT-317）を利用して、IV測定の結果を取得した。
結果と考察 / Results and Discussion
事前に準備していたSimulationの結果と今回取得したIV測定の結果は概ね一致した。しかし、一部設計パラメータに対してSimulationと実測の波形の挙動が異なる傾向を示した。そのため、Simulationのパラメータを修正とモデルの変更を行い、フィッティング条件へフィードバックを行った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件