利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2125

利用課題名 / Title

火炎・壁面間干渉のメカニズム解明へ向けたマルチセンシング技術の開発

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

オンプローブ,測温抵抗体,燃焼,センサ/ Sensor,スパッタリング/ Sputtering,光リソグラフィ/ Photolithgraphy


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

出島 一仁

所属名 / Affiliation

滋賀県立大学 工学部機械システム工学科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

脇坂頼明,横山友輝

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-104:高速マスクレス露光装置
KT-110:レジスト現像装置
KT-201:多元スパッタ装置(仕様A)
KT-202:多元スパッタ装置(仕様B)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

燃焼場の伝熱研究のため,温度・熱流束測定用の測温抵抗体に加え,薄膜イオンプローブを集積化したセンサを開発する.加えて,IRサーモグラフィーとの同時計測を行い,燃焼伝熱面の二次元分布情報を取得する.

実験 / Experimental

赤外を透過するシリコンウエハを基板とし,その上に赤外放射膜としてTiを200nm製膜した.その上に絶縁層としてSiO2を500nm,Tiバッファ層を介してセンサ層のPtを200nm,保護層のSiO2を200nmを積層した構造とした.センサ層のパターニングはマスクレス露光装置(KT-104)による露光とリフトオフによって行い,各層の製膜には多元スパッタ装置(KT-202)を利用した.

結果と考察 / Results and Discussion

製作したセンサを図1に示す.赤外放射用のTi膜上にSiO2絶縁膜を成膜し,その上にPtセンサ層を成膜することができた.大気圧層流燃焼実験において,薄膜センサによる壁面温度・イオン電流測定と,裏面から赤外線カメラによる撮影を同時に行った.その結果,局所データを高速に取りつつ,壁面温度分布を可視化することに成功した.今後は乱流条件などでも測定を実施する予定である.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 Temperature and ion current sensors on IR radiation film.


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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