【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0292

利用課題名 / Title

SiO₂/GaN界面の評価

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,エレクトロデバイス/ Electronic device

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

上沼 睦典

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-099：サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

窒化ガリウムパワーデバイスにおいて重要なゲート絶縁膜界面の評価を行うため、窒化ガリウム基板上へ原子層堆積法によりSiO₂を堆積し、界面の特性を評価した。

実験 / Experimental

エピ層付窒化ガリウム基板上へ、酸素プラズマ原子層堆積法によりSiO₂を50nm成膜した。SiO₂の成膜温度は、300℃とし、プリカーサーにはBDEASを使用した。成膜後の試料に対して、400℃～800℃の熱処理を酸素雰囲気中で1時間行った。その後、熱処理した試料に対して電極を作製しMOSキャパシタ構造を形成した。

結果と考察 / Results and Discussion

作製したMOSキャパシタ構造に対して、容量―電圧測定により電気特性の評価を実施した結果、SiO₂と窒化ガリウム界面の電気的欠陥密度である界面準位密度（Dit）は、600℃の処理において低減する傾向が確認された。一方で、800 ℃の熱処理では界面準位密度の増加がみられた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

1. 厚見 遼也，上沼 睦典，富田 広人，山田 翔梧，山田 侑矢，吉田 桃子，孫 澤旭， 橋本 由介，松下 智裕，藤井 茉美, 浦岡 行治　”SiO2/GaN界面酸化ガリウム層の熱処理による構造変化”　第85回応用物理学会秋季学術講演会（新潟）、令和6年9月18日

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件