【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0204

利用課題名 / Title

導波路MEMSデバイスの開発

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

木本 智士

所属名 / Affiliation

住友精密工業株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

行藤　敏克

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-104：原子層堆積装置_4〔FlexAL〕

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

導波路MEMSデバイスの開発のために、TiNの成膜実験を行った。

実験 / Experimental

TiNの成膜には、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設の原子層堆積装置（AT-104）を用いた。

結果と考察 / Results and Discussion

表１　上部にH2とN2ガスを用いて成膜温度を200℃、240℃、280℃に変化させた場合の結果を示す。膜厚は各々５５０Å、５１９Å、３８７Å、であった。比抵抗は１８．５～１９であり、比較的抵抗が高かった。表１　下部に、NH3プラズマを用いた場合の結果を示す。成膜温度は２００℃である。この時は、比抵抗は、１４．２～２１．２であるが、比抵抗を下げることが可能であった。今回得られたデータを元に成膜を実施し，評価サンプルを作成することができた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表１．成膜温度を変化させた場合の結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件