【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.02.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0123
利用課題名 / Title
hp 50 nmライン／スペースパターンの断面SEM観察
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス, 走査型電子顕微鏡/ Scanning electron microscopy,電子顕微鏡/ Electronic microscope,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山根 武
所属名 / Affiliation
キオクシア株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-004：電界放出形走査電子顕微鏡[S4800_FE-SEM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
4インチウェーハにhp (half-pitch) 50 nmライン／スペースパターンを作成し、露光データ上のスペース幅に対するエッチング後のスペース幅の関係を確認した。
実験 / Experimental
4インチウェーハ上に5 nm厚のAl膜、50 nm厚のSiO2膜を作成し、EB露光によりhp 50 nmライン／スペースパターンを作成した。露光データ上のスペース幅は25、40、55、60、65nmとした。現像後にICP-RIE装置によりエッチングを行った後、スクライバーを用いてパターン部を劈開した。劈開したパターン断面形状を電界放出型走査電子顕微鏡にて観察し、Al膜開口部の幅を測定した。観察条件としては加速電圧5.0kV、エミッション電流10μA、倍率200k倍を用いた。
結果と考察 / Results and Discussion
電界放出型走査電子顕微鏡による断面像を図１に、露光データ上のスペース幅に対するAl膜開口幅を図２に示す。Al膜開口幅は露光データ上のスペース幅が60nmで上限に達することを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ hp 50 nmライン／スペースパターンの断面像
露光データ上のスペース幅60 nm
図２ 露光データ上のスペース幅に対するAl膜開口幅
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
装置利用にあたり、ナノプロセシング施設の佐藤平道氏の多大なご支援を頂きました。深く御礼申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件