【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0106
利用課題名 / Title
ジャイロセンサー開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,センサ/ Sensor,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
行藤 敏克
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
比誘電率が高く、屈折率も高い絶縁膜が必要となった。そこで、ALD装置を用いてTa2O5膜を成膜し、その評価を行った。
実験 / Experimental
成膜温度300℃、成膜方法はプラズマ、プリカーサーはTBTEMTaの成膜条件で、Siウェハに3回成膜を行い、膜厚および応力を測定し、繰り返し精度の評価を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
異なる日に同じ条件で3回の成膜を行い、膜厚およびレート、屈折率の測定を行った結果、3項目ともに差がなく、安定した成膜ができていることを確認した。膜質が安定していることを確認できたので、今後はデバイス構造における電気特性を確認する予定。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1.1回目成膜結果
表2.2回目成膜結果
表3.3回目成膜結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件