【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0104
利用課題名 / Title
ステッパ露光適用によるセンサの高精度化検証
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
仕立 博康
所属名 / Affiliation
パナソニック インダストリー株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田 賢一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSセンサの高精度化に向けた開発を行っており、2019年度より産総研NPF様
のi線ステッパ装置での露光処理に切り替えるなどの検討を行ってきた。
2020年度よりデバイスの小型化と素子特性向上に向けた活動に取り組み、2024
年度も継続して活動を進めている。
実験 / Experimental
φ4 Siウエハでのセンサ試作サンプル作製を行い素子特性評価を実施したが、
想定より特性値が低い結果となった。
【産総研NPF様で実施】リソ処理（レジスト塗布・ステッパ露光・現像）
【自機関で実施】熱酸化膜形成、酸化膜ドライエッチング、Si-Deep RIE、
レジスト除去、犠牲層エッチングなど
結果と考察 / Results and Discussion
TEGウエハで各工程処理後の加工形状測定を実施したところ、リソ後レジスト
形状寸法が想定より小さいことが判明した。（図1参照）
リソ条件（レジスト塗布・ステッパ露光）およびエッチング条件の最適化検討を
行い、設計通りの加工形状にすることにより目標とする素子特性値を達成すべく
活動を継続していく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 測長SEM計測結果（Line）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件