利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.14】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0092

利用課題名 / Title

Glass GEM(Gas Electron Multiplier)基板の電極材料の検討

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

Crめっき , Niめっき , Glass GEM,センサ/ Sensor,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,スパッタリング/ Sputtering


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

伏江 隆

所属名 / Affiliation

株式会社レジメント・ラボ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

中島 忠行

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-095:RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本年度は、前年度のNi電極と比較して融点の高いCr金属を電極形成したGlass GEMサンプルの作製を試みた。Crの融点は、1857℃であり耐放電性に優れた材料と考えられる。
今年度は、貫通穴が形成されたガラス基板の表裏にCu/Crスパッタを行い、この膜の表裏に電気めっきを使用してCr/Niめっきを行うことで評価サンプルを作製した。
本サンプルの特性評価につきましては、産業技術総合研究所 計量標準総合センターの藤原健様にお願い致しました。 

実験 / Experimental

サンプルの作製方法は、Fig.1に示す通り貫通穴が形成されたガラス基板の表裏にスパッタ堆積装置を使用してCr膜を形成した後、さらにスパッタ堆積装置を使いCu膜を形成した材料を使用した。
次に電気Niめっきに続き電気Crめっきをこの基板両面に施した。この時の夫々のめっき条件は、Table1に示す通りである。
また、この時Crめっきの前にNiめっきを行う理由は、スパッタで形成したCu膜がCrめっき薬品に溶け込むことを防止するためである。
最後に、本サンプルをFig.2に示すチェンバー内に入れアルゴンガスを封入し、55Feを使用した放射線源により5.9keVのX線を照射した。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.3は、この55Feによる放射線(X線)を照射した際のエネルギースペクトルを示したグラフである。
放射線の検出が可能なことが分かる。また本テスト後に本テスト基板を目視で確認した所、表面のCr電極にスパークによる欠損及び各金属膜界面からの剥がれ等も確認されなかった。
今後、さらなる加速試験を行い電極の劣化具合を調べてみたいと思う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 Electro chrome plating film process



Fig.2 Evaluation device



Fig.3 Energy spectro for an 55Fe source



Table.1 Cr/Ni plating condition


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

産業技術総合研究所 NPF中島様には、様々な助言を頂き感謝の念にたえません。本当にありがとうございました。
また、産業技術総合研究所の藤原健様には、ご評価をして頂き誠にありがとうございました。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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