利用報告書 / User's Reports | ARIM Japan公式ホームページ

【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2073

利用課題名 / Title

SiO₂ 垂直エッチング加工による光導波路の導波効率改善

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,フォトニクス/ Photonics,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

冨井秀晃

所属名 / Affiliation

コーデンシ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

岸本洋介

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

今井憲次

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SiO₂系材料を用いた可視光導波路チップの導波効率改善のために、SiO₂エッチング端面の垂直化を目指している。厚膜の SiO₂をエッチングするにはマスクとして Cr を用いる必要があるため、(1) レジストマスクを用いた Cr エッチング、 (2) Cr マスクを用いた SiO₂エッチングそれぞれを上記装置にて実施し、SiO₂エッチング端面の垂直化が可能かを見極める。前課題の実験で(1)は理想的なエッチング形状が得られたものの、(2)で目標とする垂直形状が得られなかったため、エッチング条件の調整によりエッチング形状の垂直化を目指す。

実験 / Experimental

Cr マスクを用いた SiO₂エッチング（KT-209:磁気中性線磁気中性線放電ドライエッチング装置）
共通条件: Ar ガスを主に使用
Bias Power: 条件① ＞条件② ＞条件③ ＞条件④ エッチング時間: Bias Power 条件毎に適宜調整（写真参照）

結果と考察 / Results and Discussion

Bias Power を下げることにより、SiO₂膜上部のサイドエッチングが低減する傾向が見られた。特にBias Power 最小の条件④においては、ウェハー外周部で目標に近い垂直形状が得られている。Bias Power を下げることにより、エッチング時に生じる Cr マスク端面の後退が軽減されたと考えられる。一方、条件④において、ウェハー中心付近ではエッチングが進行しない現象が生じた。(写真参照：自社FIB装置内SIMにて観察）