【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.20】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TT0019
利用課題名 / Title
培養型プレーナーパッチクランプセンサーチップの微細加工
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
SOI, 微細加工,センサ/ Sensor,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宇理須 恒雄
所属名 / Affiliation
株式会社NANORUS
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
長岡靖崇,王志宏
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木実
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
培養型プレーナーパッチクランプ技術開発に関連し、センサーチップを製作する必要があり、Si-SOI基板の微細加工で進めている。基板のサイズは11mmx11mmで、このなかに4か所の測定点を形成する。今回は隣接測定点の距離が4mmのチップを作成した。チップの裏面構造と表面構造の位置合わせが重要で、裏面の位置合わせパタンと同じ位置に、マスクアライナ装置（TT006)を用いて、チップの表面に位置合わせマークを形成した。
実験 / Experimental
4インチSi-SOI基板（20ミクロン/3ミクロン/350ミクロン）の裏面パターン加工を終えたものを、ピラニア洗浄後、表面にAZレジストを数ミクロン塗布した基板を、豊田工業大学ARIM施設に持参した。この基板をマスクアライナ装置に（TT006)設置して、両面露光機能を利用して、表面に位置合わせマークを形成した。露光後、現像処理も同施設内で行った。
結果と考察 / Results and Discussion
4インチSOI基板（20ミクロン/3ミクロン/350ミクロン）の表面にAZレジストをコートしたものを、ARIMの両面露光装置に取り付け、裏面の位置合わせマークを表面に転写した。露光後、基板を取り出し、AZデベロッパーで現像し、基板をNANORUS研究所に持ち帰り、光学顕微鏡にて、現像パターンを評価した。所定の位置に所定の位置合わせマークパターンが形成されていることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
実験をするにあたり、ご指導いただいた佐々木実教授に感謝いたします。また、事務手続きでお世話くださった田野太志さんに感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件