利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.14】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1184

利用課題名 / Title

周期微細パターンの光応用に関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

Au, nanorod, nanogap,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電極材料/ Electrode material,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,光デバイス/ Optical Device


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

肥後 昭男

所属名 / Affiliation

東京大学アドバンテストD2T寄附講座

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置
UT-600:汎用ICPエッチング装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

近年、プラズモニクス、ナノフォトニクスによる周期構造による新しい機能の発現が注目されている。特に、メタサーフェスなどの大面積フォトニクスへの展開は今後のフォトニックデバイスを大きく革新するため期待されている。そこで、本研究ではプラズモニックデバイスための金のナノロッドの周期構造の大面積化を目指しかつナノギャップを作製する。

実験 / Experimental

100 nm程度熱酸化をしたSiO2 /Si 基板を用いる。全面に30 nm程度Auをスパッタする。その後、ネガティブレジストのOEBR-CAN038をスピンコートする。アドバンテスト社製電子線描画装置F7000S-VD02で描画しNMD-3で現像を行う。差最後に、ULVAC社製ICP-RIE装置CE-300IでAuをエッチングすることでナノギャップアレイを得た。

結果と考察 / Results and Discussion

図に示すようにAu ナノロッドアレイが作製できている。また、ギャップは10 nm程度である。これによりナノギャップをもつAu ナノロッドアレイをF7000S-VD02で作製できるところまで確認した。しかしながら、パターンのエッジが丸くなる問題はいまだに残っている。これは、1次元キャラクタープロジェクション法を用いても対向する側の角が固定パターンでないためなのと、角ではさらなるドーズ量が必要なことを示している。構造内近接効果補正のパラメータをうまく使いながらさらなる形状の向上を目指す。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1、作製をした対向型ナノギャップアレイ


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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