利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.30】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1151

利用課題名 / Title

クリーンルーム内プロセス汚染調査

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

汚染検査、クリーンルーム、CR、コンタミ,リソグラフィ/ Lithography,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,膜加工・エッチング/ Film processing/etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

太田 悦子

所属名 / Affiliation

東京大学大規模集積システム設計教育研究センター

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

三田吉郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-862:全反射蛍光X線分析装置TXRF-3760


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

[目的]国際的な共同研究が広まるなか、サンプルに対しCR内装置、輸送環境等によるコンタミの影響が不確定でありながら、定量的な調査はされていなかった。汚染検査には全反射蛍光X線TXRF装置を使用することが一般的であり、国際標準化1)され、国際半導体技術ロードマップ(ITRS)2)の推奨に基づき、広く採用されている。
我々の汚染検査は東京大学TXRF3760装置を利用して実施した
[実施内容]4インチベアSiウエハ6枚をサンプルとして、LAAS-CNRS(フランス国)と東京大学 を20,000kmの往復航空輸送させて、プロセス前後における汚染の定量的な評価、およびその差を検証することで、新たな手法(プラットフォーム間プロセスにおける汚染評価)を検証した。

実験 / Experimental

[実験条件]
1:購入したベアSiウエハ6枚について、汚染評価工程を実施する前にTXRFを測定した。その後それぞれをウエハケースに独立して収納し、真空パックにて保管した。TXRF測定条件は、Sweeping Mode20s/5s/5sにて実施した。また、開封して利用したウエハは再び真空パックにて返却した(Fig.0)。2:各ウエハの利用状況はTable1及びTable2に示す。

結果と考察 / Results and Discussion

[結果]
結果詳細は、Fig.1 及び Fig.2に示す。我々の輸送準備方法でLAAS-CNRS(Toulouse, France)と東京大学の往復による新規汚染は認められず、有効な手法であることが確認できた。また 20,000kmの往復航空輸送の遠距離であっても、共同研究先のクリーンルーム内状況の確認のための測定に、対応できることが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 0 汚染検査におけるウエハ輸送の流れ



Table 1 汚染検査におけるウエハ輸送ならびに保管条件



Fig. 1 汚染検査の結果



Table 2 汚染検査におけるウエハ処理条件



Fig. 2 異なるウエハ処理条件での汚染検査結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

[1]Y.Gohshi, ”International Standardization of Quantitive Analytical Method for Trace Metal Impurities in Silicon Wafer By Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis”, Vol. 48., No4. (2006)
[2] Semiconductor Industry Association : The National Technology Roadmap for Semiconductor. America (1997)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 【ENRIS2025 にて口頭発表予定】 ENRIS2025-0039 Title: Quantitate Contamination Evaluation Framework Demonstrated for International Open Platform Process Cascading ” Page 78. 4TH EUROPEAN NANOFABRICATION RESEARCH INFRASTRUCTURE SYMPOSIUM. 3–15 MAY 2025, BOLOGNA
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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