【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT1151
利用課題名 / Title
クリーンルーム内プロセス汚染調査
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
汚染検査、クリーンルーム、CR、コンタミ,リソグラフィ/ Lithography,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
太田 悦子
所属名 / Affiliation
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
三田吉郎
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
[目的]国際的な共同研究が広まるなか、サンプルに対しCR内装置、輸送環境等によるコンタミの影響が不確定でありながら、定量的な調査はされていなかった。汚染検査には全反射蛍光X線TXRF装置を使用することが一般的であり、国際標準化1）され、国際半導体技術ロードマップ（ITRS）2）の推奨に基づき、広く採用されている。
我々の汚染検査は東京大学TXRF3760装置を利用して実施した
[実施内容]4インチベアSiウエハ6枚をサンプルとして、LAAS-CNRS（フランス国）と東京大学 を20,000kmの往復航空輸送させて、プロセス前後における汚染の定量的な評価、およびその差を検証することで、新たな手法（プラットフォーム間プロセスにおける汚染評価）を検証した。
実験 / Experimental
[実験条件]
1:購入したベアSiウエハ6枚について、汚染評価工程を実施する前にTXRFを測定した。その後それぞれをウエハケースに独立して収納し、真空パックにて保管した。TXRF測定条件は、Sweeping Mode20s/5s/5sにて実施した。また、開封して利用したウエハは再び真空パックにて返却した(Fig.0)。2:各ウエハの利用状況はTable1及びTable2に示す。
結果と考察 / Results and Discussion
[結果]
結果詳細は、Fig.1 及び Fig.2に示す。我々の輸送準備方法でLAAS-CNRS（Toulouse, France）と東京大学の往復による新規汚染は認められず、有効な手法であることが確認できた。また 20,000kmの往復航空輸送の遠距離であっても、共同研究先のクリーンルーム内状況の確認のための測定に、対応できることが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 0 汚染検査におけるウエハ輸送の流れ
Table 1 汚染検査におけるウエハ輸送ならびに保管条件
Fig. 1 汚染検査の結果
Table 2 汚染検査におけるウエハ処理条件
Fig. 2 異なるウエハ処理条件での汚染検査結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
[1]Y.Gohshi, ”International Standardization of Quantitive Analytical Method for Trace Metal Impurities in Silicon Wafer By Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis”, Vol. 48., No4. (2006)
[2] Semiconductor Industry Association : The National Technology Roadmap for Semiconductor. America (1997)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 【ENRIS2025 にて口頭発表予定】 ENRIS2025-0039 Title: Quantitate Contamination Evaluation Framework Demonstrated for International Open Platform Process Cascading ” Page 78. 4TH EUROPEAN NANOFABRICATION RESEARCH INFRASTRUCTURE SYMPOSIUM. 3–15 MAY 2025, BOLOGNA
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件