【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT1109
利用課題名 / Title
微細加工ガラスの作製並びに埋め込み成膜に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,光導波路/ Optical waveguide,エレクトロデバイス/ Electronic device,メタマテリアル/ Metamaterial,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
小野 良貴
所属名 / Affiliation
AGC株式会社先端基盤研究所 林特別研究室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
赤木優英
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
藤原誠
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
微細加工されたガラスは透明性、耐熱性などの観点からレンズのような光学部材やマイクロ流路のようなバイオデバイスに使用されている。
電子ビームリソグラフィーによるナノレベルの微細構造を組み込むことで、その特性の向上や新たな機能付与が期待される。
その基礎的な研究として、ガラス材料への電子ビームリソグラフィーとエッチングを組み合わせることで、高解像度かつ深い構造を持つガラス材料の作製を試みる。
実験 / Experimental
4inchウエハサイズの石英ガラスに電子ビームレジストをスピンコートし、F7000Sで描画・現像することで100~500nmの線幅のレジストパターンを作製した。
その基板を反応性イオンエッチングなどの手法でエッチングし、その後レジストを除去することで微細加工したガラスウエハを得た。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に示すように、HMDS処理などの適切な前処理をすることで、ガラスウエハ上にレジスト厚み200nm、線幅100nmのレジストパターン(OEBR-CAN038ネガ型化学増幅型レジスト)を作製することができた。その基板をエッチングすることで、凡そ100nm程度の線幅に微細加工された石英ガラスウエハを得ることができた。今後、さらに細い線幅での加工や深溝の加工等に取り組む予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 石英ガラス上のL/Sレジストパターン(OEBR-CAN038ネガ型化学増幅型レジスト)
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件