【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.31】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1094

利用課題名 / Title

Si深堀エッチング用保護膜の開発

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

エッチングマスク,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

原口 高之

所属名 / Affiliation

東京応化工業(株)先端材料開発四部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

西島萌恵,大久保明日香

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-604：高速シリコン深掘りエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

当社ではSi深堀エッチング向けの保護膜を開発している。保護膜はエッチングマスクとして使用するが、膜の耐性が不十分であるとプラズマ中のフッ素成分が膜を透過し、基板表面に悪影響を及ぼすことが知られている。今回、従来よりも高いプラズマ遮蔽性を持つ保護膜の開発を目的とし、UT-604高速シリコン深掘りエッチング装置（MUC-21 ASE-Pegasus）を利用して、膜の特性評価を行った。

実験 / Experimental

基板上に形成した保護膜に、SF₆とC₄F₈を使用するSi深掘りエッチングのレシピでプラズマ処理を行った。プラズマ処理後、保護膜を除去し、XPSによる分析で基板表面に存在するフッ素原子の量を測定した。保護膜には添加剤の種類と添加量を変更した保護膜を準備し、比較評価を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

エッチング選択比の添加剤依存性をTable 1に示す。添加剤Aは添加によるフッ素比率は添加量によらず約17atom%で、添加剤がない場合と同等であった。一方、添加剤Bは添加量50%ではフッ素比率2.0atom%、添加量100%及び200%ではフッ素比率約1.0atom%であり、減少がみられた。添加量200%以上ではフッ素比率が約1%で一定になっているが、これは未処理基板と同等であり、測定作業起因の汚染であると考えらえる。以上の結果より、添加剤Bはプラズマ遮蔽性が必要な保護膜の添加剤として適していることが確認された。 

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Table 1 エッチング選択比の添加剤依存性

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件