利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.20】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1074

利用課題名 / Title

ナノ構造の造形技術の研究

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

ナノ構造,電子線リソグラフィ/ EB lithography,電子顕微鏡/ Electronic microscope,リソグラフィ/ Lithography,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

宇惠野 章

所属名 / Affiliation

AGC株式会社先端基盤研究所機能化プロセス部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

蛯原 悠介,西岡 昭治

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

藤原 誠

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

構造高さ100-500nm程度、平面サイズ:100~300nm強のパターンを組み合わせたデバイスを作製したい。
このようなデバイスは微小構造体を敷き詰めた設計のため、通常の描画装置では長い加工時間がかかってしまうが、
武田先端知クリーンルームのF7000S-VD02を用いてCP描画をしDose条件を適正化する事で、短時間で所望のパターンを得ることができた。

実験 / Experimental

以下の手順でサンプルを作製し観察を行った。1.加工基材の石英基板と、GDS形式の描画データを準備、2.レジストを塗布 CAN038、 3.描画 F7000S-VD02使用、4.現像、5.SEM観察。

結果と考察 / Results and Discussion

F7000S-VD02を用いてデバイスを作製することができた。Fig.1に、作製したナノ構造の走査電子顕微鏡写真を示す。径の違いや一部構造体の倒れが認めらた為、 要素の設計サイズと実サイズとの相関をDoes条件を3水準調整しながら調査し検量線を作製した。その結果をFig.2に示す。検量線が作製だ着たことが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 作製したナノ構造の走査電子顕微鏡写真



Fig.2 設計サイズと実サイズとの相関をDoes条件を3水準調整しながら調査して得られた検量線


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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