【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1001

利用課題名 / Title

EB描画装置を用いたナノメートルサイズのパターニング実験

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

ナノドット,電子線リソグラフィ/ EB lithography,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

佐藤 寛暢

所属名 / Affiliation

キオクシア株式会社先端技術研究所　 コアテクノロジー研究開発センター プロセスコアテクノロジー研究開発部 プロセスコアテクノロジー研究開発第一担当

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503：超高速大面積電子線描画装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的：EB描画装置（UT-503_超高速大面積電子線描画装置_F7000S-VD02(ADVANTEST )）を用いて、80mn程度のドットパターンをミリメートルサイズ面積に敷き詰める。用途：断面SEM観察用のテストパターン。実施内容：EB resist spin-coating -> Pre-bake -> EB direct writing -> Development -> Post-bake -> SEM observation

実験 / Experimental

EB resist coating: ZEP520A-7_6000rpm/60secPre-bake: 180℃/5minEB direct writing: Dose variation was carried out from 85 to 105 μC/cm² with 5μC.cm² steps. Development: ZED-N50_60sec -> MIBK_60sec x 3SEM observation was carried in Kioxia.

結果と考察 / Results and Discussion

　図１に実験で用いたパターンのCAD図を示す。横100 nm縦200nmの長方形が400 nm周期で整然と配置されている。SEMによる断面観察を行うためパターン描画領域は縦4 mm×横500 umとしている。なお、本実験ではポジレジストであるZEP520Aを使用している。本パターンの描画に要する時間はおよそ130秒であった。
 二種類の金属A,Bそれぞれの上にパターン形成実験を行った。図２は金属A上のパターニング結果を、図３は金属B上のパターニング結果を示す。パターンは角が取れ丸みを帯びていることが分かる。図４はパターン領域の角部分を示している。近接効果補正を活用することで、パターン倒れなく描画できていることが分かる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１ 実験で用いたパターンのCAD図。400 nm周期で横100 nm縦200nmの長方形を配列した。

図２ 金属A上のパ ターニング結果

図３金属B上のパターニング結果

図４パターン領域の角部分

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件