【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0044
利用課題名 / Title
ダイヤモンド薄膜を用いた量子デバイスの研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
八井 崇
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学系研究科/豊橋技術科学大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岩﨑 孝之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ダイヤモンド量子デバイスの高性能化に向けて、ダイヤモンドナノ構造の作製が必須となる。このダイヤモンドナノ構造作製のために、高品質なダイヤモンド薄膜を作製することが本課題の目的である。
実験 / Experimental
上記目的実現のために、マイクロ波プラズマCVD装置を用いてダイヤモンド薄膜成長を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
通常のダイヤモンド薄膜成長で用いられる水素・メタン・酸素の流量を調整することで、基板全面にダイヤモンド膜を成長することに成功した。今後得られた膜の物性評価を行うことで、流量および成長時間を最適化することで目的とする量子デバイス実現を目指す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件