【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0043
利用課題名 / Title
カー効果顕微鏡による磁壁の観察
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
スピントロニクスデバイス/ Spintronics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Pham Nam Hai
所属名 / Affiliation
東京科学大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
カー効果顕微鏡による磁壁の観察
実験 / Experimental
磁気光学効果評価装置を用いた。まず、+z方向あるいは-z方向に磁化をリセットしたときのKerr効果を測定した。その後、この状態のKerr 回転角や楕円偏光を基準として記録した（参照画像として登録した）。次に、磁性細線に磁壁を導入し、このときのKerr効果を再度測定した。その後、参照画像と磁壁導入後の画像の差分を取ることにより、試料の磁化分布の違いを観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
まず外部磁場を用いて、ワイヤ上の磁化を上向きにリセットした。次に、書き込み端子にパルス電流を印加することで、Oersted磁場を発生させ、書き込み端子付近のワイヤに下向きの磁区を導入した。そして、導入した磁区をカー効果顕微鏡により観察した。アンペールの法則からおおよその磁区の大きさを計算したが、その大きさに対して使用したカー効果顕微鏡の分解能が低く、磁壁が導入されているのか分かりづらかった。したがって、これよりも高い分解能を持つカー効果顕微鏡を用いることで、より詳細な観察ができると思う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
磁壁導入前（リセット後）
磁壁導入後
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 加々美尚, Pham Nam Hai, 三次元磁性細線メモリに向けた異常ホール効果を用いた微細磁性細線における磁壁移動の電気的な評価, 応用物理学会スピントロニクス研究会若手スピントロニクスワークショップ , 2024年10月
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件