【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0040
利用課題名 / Title
III-V/Si接合集積向け電界吸収型変調器構造のエピタキシャル成長
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電界吸収型変調器, 有機金属気相成長, InP, 多重量子井戸,X線回折/ X-ray diffraction,CVD,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
八木 英樹
所属名 / Affiliation
住友電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-010：有機金属気相成長装置
IT-021：C-Vプロファイラ
IT-029：Ｘ線回折装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SOIウェハ上InP接合を用いた電界吸収型変調器(EAM)の検討を行うにあたり、InP系エピタキシャル層の作製を有機金属気相成長装置（日本酸素製 HR-3246 [IT-010])を用いて行う。EAM向けInP系エピタキシャル層の作製では、高品質なGaInAsP多重量子井戸の形成が求められることから、作製したエピタキシャル層の結晶品質評価を薄膜評価用試料水平型Ｘ線回折装置(リガク SmartLab [IT-029])、およびフォトルミネッセンス測定装置(堀場顕微ＰＬ測定装置)を用い、半導体pn接合の評価をC-Vプロファイラ [IT-021]で行い、評価結果をフィードバックすることで、EAM向け高品質エピタキシャル層の実現を目指す。
実験 / Experimental
・ InP基板上に波長1240 nmにピークを持つGaInAsP多重量子井戸を含むエピタキシャル層を有機金属気相成長法により成長する。
・成長したエピタキシャル層のピーク波長をフォトルミネッセンス測定で評価する。
・p型ドーパントのZnが多重量子井戸構造に拡散しているか否かをSIMS分析から明らかにする。
結果と考察 / Results and Discussion
・フォトルミネッセンス測定から、GaInAsP多重量子井戸の発光波長は1240 nmと仕様通りであることを確認した。
・SIMS分析の結果、Znの多重量子井戸への拡散は極めて小さく、1x16
(cm-3)であり、極めて良好な結果だった。
以上から、本エピタキシャル構造は試作適用に資することから、今後、電界吸収型変調器試作に適用する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 フォトルミネッセンス測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件