【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0038
利用課題名 / Title
Si基板上へのInP系半導体薄膜層の転写および素子形成評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線リソグラフィ/ EB lithography,CVD,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古田 裕典
所属名 / Affiliation
沖電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
西山伸彦,大礒義孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-010：有機金属気相成長装置
IT-038：電子ビーム露光装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-020：ウェハ洗浄装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
OKIが保有するCFB（Crystal Film Bonding）技術を用いて、InPエピタキシャル層をシリコン導波路上に接合した。
実験 / Experimental
InP基板上に成長した犠牲層を含む、InP/InGaAsP層をエピタキシャル層を成膜した。 その後、エピタキシャル層を300 μm × 2000 μmの大きさにリソグラフィおよびエッチングを用いてパターニングし、犠牲層をエッチングすることにより、InP基板からリフトオフした。 剥離したエピタキシャル層は、別途準備したSi基板にSiO2を成膜し、CFB技術を用いて接合した。
結果と考察 / Results and Discussion
InP基板上にエピタキシャル層を形成した。
そのエピタキシャル層をInP基板からリフトオフし、、Si基板上にCFB技術を用いて接合した顕微鏡写真をFig1に示す。Fig2はそのPLマッピング結果である。
接合の境界部分においても、剥離などは見られず、PLマッピング測定でも境界部分まで光が観測されていることがわかり、良好に接合できていることが見て取れる。
今後はシリコンフォトニクスへの適用に向け、シリコン導波路と今回作成したレーザー構造エピタキシャル層の融合を目指す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 CFBしたフィルムの顕微鏡写真
Fig.2 CFBしたフィルムのPLマッピング
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・西山伸彦様、大礒義孝様（東京科学大学）に感謝します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 西山 伸彦1、〇古田 裕典2、大礒 義孝1、吉田 俊1、Moataz Eissa1、谷川 兼一2、鈴木 貴人2、岡山 秀彰2、志村 大輔2 (1.東京科学大、2.沖電気工業株式会社),"光集積回路に向けたCrystal Film Bonding技術によるSiO2/Si基板上へのInPエピタキシャル層接合",第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年3月17日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件