【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0035
利用課題名 / Title
マスクレス露光装置を用いた二次元物質及びそのヘテロ構造への電極形成
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
原子層薄膜/ Atomic layer thin film,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
蒲 江
所属名 / Affiliation
東京科学大学理学院物理学系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
北村 天太,岩﨑 春樹,于 沛杉,及川 敬夫
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
北村俊昭
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
原子層半導体膜 (遷移金属ダイカルコゲナイド) への電極形成を目的に使用した。具体的には、Si/SiO2基板及びプラスチック (PEN) 基板上に、マスクレス露光装置を使用してパターニングを行い、トランジスタ及び発光デバイス作製用の電極を形成した。
実験 / Experimental
Si/SiO2基板及びプラスチック (PEN) 基板上に、マスクレス露光装置を使用してパターニングを行い電極を形成した。その電極上に遷移金属ダイカルコゲナイドを転写することで、トランジスタ及び発光デバイスを作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
Si/SiO2基板及びPEN基板上でそれぞれ露光条件を最適化し、任意の電極パターンの作製が可能になった。例えば、PEN基板上の露光条件として、以下が挙げられる（図1）。露光速度: 1.5 mm/sレーザー照度: 71.72 mW/cm2レーザー露光量: 90 mJ/cm2オフセット: 0 x 0 x0 mmワーク厚: 0.25mmオートフォーカス・アラインメント: しない露光極性: リバースこれにより作製した電極を用いたデバイス動作も確認し、電気伝導特性や発光特性の評価を行った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. PEN基板上に作製した電極パターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- Jiang Pu, “Functional optoelectronic devices based on strained monolayers and heterostructures”, 2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, U.S., Boston (2024/12)
- 蒲 江, “原子層物質及びヘテロ構造の歪み効果と光機能デバイス ”, 日本物理学会春季大会 シンポジウム, オンライン (2025/03)
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件