【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24IT0030

利用課題名 / Title

シリコンフォトニクスデバイス特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

東京科学大学 / Science Tokyo

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

シリコン基材料・デバイス

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

綿貫 真一

所属名 / Affiliation

アイオーコア株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

堀川剛

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-035：東京エレクトロン300mm ウェハプローバ
IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

２台の光集積素子評価用300mmオートプローバ[IT-035及びIT-036]を用い、300mmCMOSラインで製造される光集積回路ウェハに搭載されている光集積素子の短TATのインライン検査を行う(IT-035は複数ウェハの一括計測、IT-036はデバイスの静/動特性計測にそれぞれ使用)。２台の光集積素子評価用300mmオートプローバ[IT-035及びIT-036]を用い他のプロセスコントロールモニタ評価と合わせて、光集積回路製造に適した複合的な製造プロセス管理手法の構築を目指す。

実験 / Experimental

300mmCMOSラインで製造される光集積回路搭載ウェハの光集積素子の特性、特にシリコン細線導波路や位相シフタの透過性評価などについて、継続的なインラインモニタリングを昨年度に続き実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

オートプローバを用いた高精度かつ再現性の高い評価により、シリコン導波路の伝搬損失をはじめとする主要な光集積素子の特性が、過去2年の全ての試作において極めて安定に推移していることが検査の都度確認された。プロセスウィンドウ拡大に向け、得られた結果の解析を進めている。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

この結果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の助成事業の結果得られたものです。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件