【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24IT0027

利用課題名 / Title

異種材料接合デバイスの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京科学大学 / Science Tokyo

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ダイシング/ Dicing,CVD,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

増山 圭

所属名 / Affiliation

三菱電機

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

白尾 瑞基,池 震棟

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

西山 伸彦

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-004：マスクレス露光装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-020：ウェハ洗浄装置
IT-027：ダイシングソー及びダイシング補助装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

光通信用トランシーバの高機能化を目的に異種材料接合プロセスの検討を実施した。

実験 / Experimental

用意したSi基板とInP基板に対して中間層としてSiO2薄膜を堆積し異種材料接合を行った。接合前の洗浄処理プロセスやリソグラフィ装置やダイシングによる分割により、接合界面状態の観察をすることで接合条件の最適化を実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

東京科学大学のCVD装置、ウエハ洗浄装置、基板貼り付け装置を用いて実施した異種材料接合ウエハの写真をFig.1に示す。Fig.2は接合後の断面写真であり、隙間なく密着しており十分な接合条件を導出することができたことを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1　試作した異種材料接合ウエハ外観

Fig.2　異種材料接合ウエハの断面

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

技術相談、技術指導など多大なサポートを賜りました東京科学大学工学院電気電子系の西山伸彦教授、大礒義孝特任准教授、北村俊昭研究員に感謝申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件