【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0025
利用課題名 / Title
GaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,リソグラフィ/ Lithography,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宮本 恭幸
所属名 / Affiliation
東京科学大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-011：原子層堆積装置
IT-003：マスクレス露光装置
IT-008：3連Eガン蒸着装置
IT-037：クリーンルーム付帯設備一式
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
同じ結晶構造を持つGaNエピタキシャル構造からのコンプリメンタリー回路を目指して、Mgドープの無い2DHG構造でデバイスを作製した。
実験 / Experimental
三重大・コーネル大で成長したMgドーピング層の無い2DHGを持つウェハにクリーンルーム内で、マスクレス露光装置と蒸着装置を用いてＳＤ電極を形成し、ALDを用いて絶縁膜をさらに形成した上にマスクレス露光装置と蒸着装置でゲート電極を形成し、デバイスとした。
結果と考察 / Results and Discussion
電極はショットキー特性を示しているため。ソース接地特性においては立ち上がり電圧が5-8V付近になっているものの、綺麗な飽和特性を示した。また観測された最大電流がほぼ20mA/mmに達し、p型としてはかなり大きい電流が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 得らえた素子のソース接地特性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 林 正桓、成澤 功喜、Risco Jimy Encomendero、Grace Xing、Debdeep Jena、林 侑介、三宅 秀人、宮本 恭幸, "pコンタクト層の無い2DHG GaN 構造のFET動作" 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 [17p-K301-10] 2025年3月17日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件