【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0011
利用課題名 / Title
単一フォトン源の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
化合物半導体,CVD,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中川 茂
所属名 / Affiliation
東京科学大学 総合研究院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-003：マスクレス露光装置
IT-008：3連Eガン蒸着装置
IT-012：リアクテブイオンエッチング装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
フォトニック・量子コンピューターを実現する単一フォトン源の作製
実験 / Experimental
微細構造をエッチングするためにマスクレス露光装置(IT-003)を用いてフォトレジストマスクの形成
電極下の絶縁層を、PECVD(IT-015)でSiO2を成膜し、RIE(IT-012)でエッチングして形成
電流注入を行うための電極を、マスクレス露光装置(IT-003)でフォトレジストマスクを形成、電子ビーム蒸着装置(IT-008)で金属膜を形成しリフトオフ
結果と考察 / Results and Discussion
単一フォトンを発生するために、量子ドット垂直微小共振器を実現した。
垂直微小共振器に電極を形成し、電子とホールを注入することでフォトン発生を実現した。
今後、電子とホールをより効率よく注入するために電極形成を改善する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
量子ドット垂直共振器単一フォトン源
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 中川茂 他、応用物理学会学術講演会 (千葉)、令和７年３月17日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件