【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24IT0005

利用課題名 / Title

EBリソグラフィーを利用したグラフェン上への電極パターン作成

利用した実施機関 / Support Institute

東京科学大学 / Science Tokyo

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,リソグラフィ/ Lithography,フォトニクス/ Photonics,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

片岡 誠

所属名 / Affiliation

旭化成エレクトロニクス㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

梅本高明

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-038：電子ビーム露光装置
IT-006：走査型電子顕微鏡
IT-008：3連Eガン蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的：グラフェンプラズモンを利用したデバイスの試作開発
用途：電圧制御の光学フィルタ
実施内容：グラフェンFET上へナノ電極を形成し、FTIRにより光学特性の評価を行う

実験 / Experimental

グラフェンチップ上へのEBLによるパターン形成（HSQレジスト120nm、パターン幅20-200nm、現像液TMAH）
蒸着(Ti/Au)及びリフトオフ(BHF7%)

結果と考察 / Results and Discussion

電子線のdose量を最適化することで、グラフェンチップ上へ20-200nm幅のレジストパターンを形成することは成功した。
当初現像時にグラフェンの剥離が見られたが、グラフェン全面にパターンを形成し抑えとして使用する事で剥離抑制を確認した。
リフトオフに関しては一部ナノギャップ電極が形成出来ていることを確認したが、メタルの残差が残っており隣接する電極間で短絡が出ていることから蒸着膜厚など含めた最適化が必要である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件