【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0003
利用課題名 / Title
メサ形磁性体へ高効率に圧力を印加する構造の試作
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
磁気記録材料/ Magnetic recording materials, スピントロニクス素子・物質/ Spintronics devices and materials,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京科学大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
山田海衆
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
メサ型磁性体に応力印加可能な構造の作製が目的である。
デバイスの加工のために、レジストのパターンの露光を行った。
実験 / Experimental
構造の加工のためにマスクレス露光装置を用いて、
メサ型磁性体、円環型圧電体、磁気特性の測定のための電極、圧電体の電極のレジストのパターンを形成する。
パターン形成には次の３つの手順を踏む。
始めにレジストS1818を塗布し、マスクレス露光装置でパターンの形状に露光したのち、最後に現像液に液浸することでレジストのパターン形成を行う。
結果と考察 / Results and Discussion
各パターンはおおむね設計通り露光されたが、それぞれ露光パターン全体の面内のずれが2µm以内で生じた。
2µmのずれはアライメントの補正を3点のマークから行ったため、正確にできなかったと考えられる。
実験では４点のアライメントマークを作製したが、自動的なマークの認識ができない箇所が存在したため、３点のアライメント補正となった。
4点以上のアライメントマークを自動補正に使用するためには、余分なマークを作製する必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 山田海衆, 高村陽太, 中川茂樹, "ピエゾエレクトロニック磁気抵抗素子における円環型圧電印加構造が誘起する応力の有限要素法解析", 第85回応用物理学会秋季学術講演会（新潟）, 令和6年9月16日
- 山田海衆, 高村陽太, 中川茂樹, "ピエゾエレクトロニック磁気抵抗素子における円環型圧電印加構造が誘起する応力の有限要素法解析2", 第72回応用物理学会春季学術講演会（千葉）, 令和7年3月15日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件