【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24WS0441
利用課題名 / Title
無電解プロセスによるメソポーラス金属薄膜の作製
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
メソポーラス金属薄膜/ Mesoporous Metal Films,PVD,メソポーラス材料/ Mesoporous material,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宮田 浩克
所属名 / Affiliation
名古屋大学 工学部 マテリアル工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
星野 勝美
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
無電解プロセスによるメソポーラス金属薄膜の作製の研究を行うために、金属を製膜したシリコンウェハーが必要であり、スパッタリングによる作製を行う。
実験 / Experimental
Ag、Cuをイオンビームスパッタ装置（WS-001）で製膜した（技術代行）。Ag、Cuをターゲットに成膜を行った。この基板上にメソポーラス金属薄膜を化学的手法によって作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
Agを成膜したSi、及びCuを成膜した基板上に、メソポーラス白金等のメソポーラス金属薄膜を作製できた。これにより、平坦な基板上に広範囲に渡って無電解プロセスでメソポーラス金属を作成する技術が確立できた。スパッタ膜は金属的な表面を保持していると考えられた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件