【公開日：2025.07.03】【最終更新日：2025.07.02】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1309

利用課題名 / Title

SiO₂膜の加工検討

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiO2,TEOS膜,CVD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

野口 登

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes

植松丈裕,小坂哲朗

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-205：プラズマCVD装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シリコンに貫通ビアを形成し、その後、再配線電極を形成するため、シリコンと再配線電極の絶縁性を確保する目的でSiO₂膜の形成とパターニングが必要です。そこで、SiO₂膜の成膜（京大ナノハブ）と加工検討（弊社内）を行ったので、その結果を報告する。

実験 / Experimental

以下の工程により加工検討を実施。
① シリコンの貫通ビア形成（フォトリソ→エッチング→剥離）
② SiO2膜成膜　　　※京大ナノハブにて（KT-203_プラズマCVD装置）
③ SiO2膜パターン形成（フォトリソ→エッチング→剥離）
④ 再配線電極形成

結果と考察 / Results and Discussion

ビア形成後、SiO₂膜のカバレッジ性を検証するため断面観察と絶縁性の評価を実施。　※図２，３参照
その際、SiO₂膜の成膜条件と膜厚振りを行い、その違いについても確認を実施（継続検討中）。
ビア側壁の荒れ（ラフネス）により、SiO₂膜のカバレッジ性は大きく異なることを確認。一方で、成膜条件と膜厚コントロールにより、絶縁性が担保できる狙い値を決定。
（結果概要）
Siウエハにビアを形成し、SiO₂膜を成膜後、再配線電極をパターニング。プローブ評価により、Siを介したリーク電流の有無を確認。　　※図４，５参照

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　貫通ビア構造

　図２　ビア断面（SiO₂成膜:400nm）

図3　図2の拡大（上段：①箇所，下段：②箇所）

図４　測定イメージ

図５　絶縁性評価　※リーク電流はpAオーダー

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件