【公開日：2025.04.17】【最終更新日：2025.04.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22JI0021
利用課題名 / Title
MISデバイスにおけるゲート絶縁膜成膜プロセス開発のためのALD膜膜厚評価
利用した実施機関 / Support Institute
北陸先端科学技術大学院大学 / JAIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam,高周波デバイス/ High frequency device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
岸田 一輝
所属名 / Affiliation
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
竹内 克彦，鈴木 寿一
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
東嶺 孝一，伊藤 真弓
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
化合物半導体材料には、様々な優れた物性を有する物があるため、高周波・高速デバイス、光デバイス、パワーデバイスなど、多岐にわたるデバイス応用が期待されている。 こうした化合物半導体のデバイス応用においては、絶縁膜を適切に成膜する技術が極めて重要であるが、絶縁膜の物性制御、絶縁体/半導体界面制御には課題が多い。また、半導体デバイスの量産においてはウェハの面内において絶縁膜を均一に成膜する必要がある。今回、化合物半導体上に原子層堆積(ALD)法で成膜した薄膜についてウェハ面内における絶縁膜厚の均一性を透過型電子顕微鏡を用いて解析した。
実験 / Experimental
半導体上にALD法により絶縁膜を積層したサンプルに対して，集束イオンビーム(FIB)加工装置を使用して薄膜化した試料を作製し高分解能透過型電子顕微鏡を用いて製膜した絶縁膜の膜厚を測定した．
結果と考察 / Results and Discussion
化合物半導体上に原子層堆積(ALD)法を用いて成膜した絶縁膜について、透過型電子顕微鏡(TEM)による解析を行い、ウェハ面内での絶縁膜厚の違いを確認した。 断面解析の結果ウェハ面内において、部分的に設計膜厚より厚い絶縁膜が成膜されていることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
今回の解析において、鈴木寿一先生、東嶺 孝一氏及び伊藤 真弓氏には大変お世話になりました。この場を借りて感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件