利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.04.17】【最終更新日:2025.04.16】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22JI0001

利用課題名 / Title

オーミック金属下におけるAlGaN/GaNヘテロ構造の微細構造観察

利用した実施機関 / Support Institute

北陸先端科学技術大学院大学 / JAIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

形状・形態観察,分析,窒化ガリウム,オーミックコンタクト,電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam,高周波デバイス/ High frequency device


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

瓜生 和也

所属名 / Affiliation

株式会社アドバンテスト研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

鈴木寿一

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

東嶺孝一

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

JI-008:原子分解能走査透過型電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

オーミック金属を形成したAlGaN/GaNヘテロ構造について、原子分解能走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いた微細構造観察を行った。

実験 / Experimental

AlGaN/GaNヘテロ構造上にTi系あるいはTa系積層金属を堆積およびアニールすることでオーミックコンタクト を形成した.これらの試料について, オーミック金属直下AlGaN/GaNヘテロ構造の構造を原子分解能走査透過型電子顕微鏡JEM-ARM200Fを用いて観察した. 観察試料の加工には集束イオンビーム加工装置 FIB SMI3050を 用いた.

結果と考察 / Results and Discussion

HAADF(High-angle Annular Dark Field)像においてTi系, Ta系積層金属どちらの試料においてもオーミック金属とAlGaN界面において暗い変性層が生じていることがわかった. HAADF 像では原子量が小さいほど像が暗くなることから, 変性層ではGaに比べて原子量の小さいAl やN の割合が大きいことが考えられる.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

実験に協力いただいた東嶺氏に感謝する.


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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