【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.31】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1246
利用課題名 / Title
高強度テラヘルツ波パルス発生と分子制御研究への応用
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
テラヘルツ波,分子制御,有機非線形結晶,電場波形,電気計測
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
横山 啓一
所属名 / Affiliation
日本原子力研究開発機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
瀬戸弘之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
テラヘルツ波パルス列により、高効率かつ高選択的なエネルギー注入技術が創出される可能性がある。その原理実証のため、ナノハブ拠点保有のCr4+:Forsteriteレーザーを用いたテラヘルツ波パルス発生技術の確立を目的として実験を行っている。本課題においてもテラヘルツ波パルスの波形計測及び発生特性把握を目指して実験を継続した。
実験 / Experimental
前課題同様、OH１結晶にクロムレーザーを集光照射することでテラヘルツ波を発生させた。テラヘルツ波波形計測においては、ポンプパルスとプローブパルスを対向入射させる配置でEOサンプリング法により波形計測を実施した。発生したテラヘルツ波によるOH1結晶の屈折率変化の影響についてさらに調べるため、EOサンプリング信号のポンプパルスエネルギー依存性を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
図に示すように、ポンプパルスのエネルギーを増大させてもおおむね同一の波形がえられており、テラヘルツ波の時間波形を観測していると考えられる。しかし、遅延時間1ps以内の領域ではポンプパルスエネルギーの増大と共にEOサンプリング信号がマイナス側に下振れしている。その原因として高強度テラヘルツ波によるOH1結晶の屈折率変化が考えられる。これまでの他の実験結果を支持する結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図．ポンプパルス強度の変化に対するEOサンプリング信号の変化のようす。基本的にはテラヘルツ波の電場時間波形を反映していると考えられるが、遅延時間が１ps以内の領域ではマイナス方向へのずれが大きくなっており、EOサンプリング信号にOH１の屈折率変化の影響が表れている可能性がある。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件